中芯国际进军RRAM存储蚕食三星40nm产能:ag体育官网

  • 16th 12月 2020
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ag体育官方-最近,中国内地的规模,仅次于技术最先进设备的集成电路晶片代理企业的核心国际(SMIC )和电阻变化存储器(RRAM )技术领导人Crossbar,双方就非易失性RRAM的研究开发和生产达成协议战略合作协议作为双方合作的一部分,中心国际和Crossbar已经签订了代理协议,基于中心国际的40纳米CMOS生产技术,获得了电阻变化存储器模块。 这有助于客户将低延迟、高性能、低功耗的嵌入式RRAM存储器组件集成到MCU和SoC等设备中,以满足物联网、可穿戴设备、平板电脑、家电、工业ag体育官网和汽车电子市场的需要。

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中心国际曾经发展了130nm到65nm工艺的NOR存储器,2014年自主发展的38nm工艺被突破,改为更先进的设备NAND存储器,用于40nm工艺代理PRAM电阻变化存储器芯片,著RRAM设备必须在标准CMOS逻辑过程中在标准CMOS晶片的两条金属线之间构建。 这将促进构建高度构建的非易失性存储器解决方案,在一个单独的芯片上构建片上非易失性存储器、处理器核心、模拟和射频。 高度构建的MCU和SoC设计制造商需要非易失性存储器技术,Crossbar的RRAMCMOS兼容性和向更小的工艺大小的扩展性使MCU和SoC能够在更低的工艺节点上构建非易失性存储器组件中心国际需要协助Crossbar降低芯片成本,延长入市时间。 现在,中国的半导体政策现在主导着内存产业,2015年以来也利用与供应链相关的大收购来减缓繁荣,晶片生产能力的扩大很大。

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中国的半导体政策会继续给三星内存部门带来一定的竞争压力,不会导致三星专注于晶片代工产业。【ag体育官方】。

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